
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.733795 | ¥14.73 |
| 10 | ¥13.217913 | ¥132.18 |
| 100 | ¥10.300907 | ¥1030.09 |
| 500 | ¥8.509617 | ¥4254.81 |
| 1000 | ¥6.718186 | ¥6718.19 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 0.88 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHFR1N60A-GE3
型号:SIHFR1N60A-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.733795 |
| 10+: | ¥13.217913 |
| 100+: | ¥10.300907 |
| 500+: | ¥8.509617 |
| 1000+: | ¥6.718186 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.73