货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.850261 | ¥12.85 |
10 | ¥11.528167 | ¥115.28 |
100 | ¥8.984063 | ¥898.41 |
500 | ¥7.421768 | ¥3710.88 |
1000 | ¥5.859349 | ¥5859.35 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 0.88 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHFR1N60A-GE3
型号:SIHFR1N60A-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.850261 |
10+: | ¥11.528167 |
100+: | ¥8.984063 |
500+: | ¥7.421768 |
1000+: | ¥5.859349 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.85