货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.737569 | ¥5212.71 |
6000 | ¥1.563812 | ¥9382.87 |
15000 | ¥1.447974 | ¥21719.61 |
30000 | ¥1.424807 | ¥42744.21 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 30.5 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS782DN-GE3
单位重量 1 g
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0SIS782DN-T1-GE3
型号:SIS782DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.737569 |
6000+: | ¥1.563812 |
15000+: | ¥1.447974 |
30000+: | ¥1.424807 |
货期:1-2天
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