货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.891926 | ¥28.89 |
10 | ¥25.956506 | ¥259.57 |
100 | ¥20.86575 | ¥2086.57 |
500 | ¥17.143546 | ¥8571.77 |
1000 | ¥14.204543 | ¥14204.54 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 5.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7852DP-E3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7852DP-T1-E3
型号:SI7852DP-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.891926 |
10+: | ¥25.956506 |
100+: | ¥20.86575 |
500+: | ¥17.143546 |
1000+: | ¥14.204543 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.89