
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥33.126773 | ¥33.13 |
| 10 | ¥29.761093 | ¥297.61 |
| 100 | ¥23.924157 | ¥2392.42 |
| 500 | ¥19.656369 | ¥9828.18 |
| 1000 | ¥16.28658 | ¥16286.58 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 5.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7852DP-E3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7852DP-T1-E3
型号:SI7852DP-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥33.126773 |
| 10+: | ¥29.761093 |
| 100+: | ¥23.924157 |
| 500+: | ¥19.656369 |
| 1000+: | ¥16.28658 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥33.13