
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.129144 | ¥8.13 |
| 10 | ¥6.628839 | ¥66.29 |
| 100 | ¥5.154834 | ¥515.48 |
| 500 | ¥4.369296 | ¥2184.65 |
| 1000 | ¥3.55931 | ¥3559.31 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 29.3 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFI530NPBF SP001554868
单位重量 2 g
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0IRFI530NPBF
型号:IRFI530NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.129144 |
| 10+: | ¥6.628839 |
| 100+: | ¥5.154834 |
| 500+: | ¥4.369296 |
| 1000+: | ¥3.55931 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.13