货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.918617 | ¥39.92 |
10 | ¥35.836661 | ¥358.37 |
100 | ¥29.361667 | ¥2936.17 |
500 | ¥24.995014 | ¥12497.51 |
1000 | ¥21.080079 | ¥21080.08 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 209 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 123 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Smps MOSFET
零件号别名 IRFP3703PBF SP001556744
单位重量 6 g
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0IRFP3703PBF
型号:IRFP3703PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.918617 |
10+: | ¥35.836661 |
100+: | ¥29.361667 |
500+: | ¥24.995014 |
1000+: | ¥21.080079 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥39.92