DMN65D8LW-7
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- 制造商编号：
- DMN65D8LW-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.508569 | ￥7.51 |
| 10 | ￥6.07769 | ￥60.78 |
| 100 | ￥4.139629 | ￥413.96 |
| 500 | ￥3.104295 | ￥1552.15 |
| 1000 | ￥2.328223 | ￥2328.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
DMN65D8LW-7 同类别型号
注
DMN65D8LW-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN65D8LW-7
数据手册PDF
。
DMN65D8LW-7
型号：DMN65D8LW-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.508569 |
| 10+： | ￥6.07769 |
| 100+： | ￥4.139629 |
| 500+： | ￥3.104295 |
| 1000+： | ￥2.328223 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.51