货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.548692 | ¥6.55 |
10 | ¥5.300732 | ¥53.01 |
100 | ¥3.610429 | ¥361.04 |
500 | ¥2.70745 | ¥1353.73 |
1000 | ¥2.030588 | ¥2030.59 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN65D8LW-7
型号:DMN65D8LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.548692 |
10+: | ¥5.300732 |
100+: | ¥3.610429 |
500+: | ¥2.70745 |
1000+: | ¥2.030588 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.55