TPN4R806PL,L1Q
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- 制造商编号：
- TPN4R806PL,L1Q
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥2.501928 | ￥12509.64 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 105 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.1 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
TPN4R806PL,L1Q 同类别型号
注
TPN4R806PL,L1Q品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TPN4R806PL,L1Q
数据手册PDF。
TPN4R806PL,L1Q
型号：TPN4R806PL,L1Q
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥2.501928 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00