货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥0.272947 | ¥2.73 |
100 | ¥0.200677 | ¥20.07 |
300 | ¥0.187404 | ¥56.22 |
1000 | ¥0.17413 | ¥174.13 |
5000 | ¥0.16823 | ¥841.15 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN65D8LW-7
型号:DMN65D8LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥0.272947 |
100+: | ¥0.200677 |
300+: | ¥0.187404 |
1000+: | ¥0.17413 |
5000+: | ¥0.16823 |
货期:7-10天
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