
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.358287 | ¥1074.86 |
| 6000 | ¥0.326089 | ¥1956.53 |
| 9000 | ¥0.309485 | ¥2785.37 |
| 15000 | ¥0.290734 | ¥4361.01 |
| 21000 | ¥0.279559 | ¥5870.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 2.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 0.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG2302UK-7
型号:DMG2302UK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.358287 |
| 6000+: | ¥0.326089 |
| 9000+: | ¥0.309485 |
| 15000+: | ¥0.290734 |
| 21000+: | ¥0.279559 |
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