货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.875991 | ¥2627.97 |
6000 | ¥0.819448 | ¥4916.69 |
15000 | ¥0.762962 | ¥11444.43 |
30000 | ¥0.723398 | ¥21701.94 |
75000 | ¥0.715853 | ¥53688.97 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 750 pC
耗散功率 275 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.8 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1012X-GE3
单位重量 30 mg
购物车
0SI1012X-T1-GE3
型号:SI1012X-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.875991 |
6000+: | ¥0.819448 |
15000+: | ¥0.762962 |
30000+: | ¥0.723398 |
75000+: | ¥0.715853 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00