货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥2.417867 | ¥7253.60 |
6000 | ¥2.273855 | ¥13643.13 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 230 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 400 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1A060ZP
单位重量 10 mg
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0RQ1A060ZPTR
型号:RQ1A060ZPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.417867 |
6000+: | ¥2.273855 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00