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SI7812DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7812DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
渠道:
digikey

库存 :55820

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 26.37507 26.38
10 23.737564 237.38
100 19.079993 1908.00
500 15.676273 7838.14
1000 13.4367 13436.70

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 75 V

漏极电流 16 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 52 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7812DN-GE3

单位重量 1 g

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SI7812DN-T1-GE3

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型号:SI7812DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:55820 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥26.37507
10+: ¥23.737564
100+: ¥19.079993
500+: ¥15.676273
1000+: ¥13.4367

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