
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.325386 | ¥12.33 |
| 10 | ¥10.908676 | ¥109.09 |
| 100 | ¥8.358595 | ¥835.86 |
| 500 | ¥6.607541 | ¥3303.77 |
| 1000 | ¥5.286031 | ¥5286.03 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 230 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 400 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1A060ZP
单位重量 10 mg
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0RQ1A060ZPTR
型号:RQ1A060ZPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.325386 |
| 10+: | ¥10.908676 |
| 100+: | ¥8.358595 |
| 500+: | ¥6.607541 |
| 1000+: | ¥5.286031 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.33