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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 900 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 113 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIR140DP-T1-RE3
型号:SIR140DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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