SI1012X-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1012X-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：2354
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.327212 | ￥5.33 |
| 10 | ￥4.522211 | ￥45.22 |
| 100 | ￥3.37627 | ￥337.63 |
| 500 | ￥2.652714 | ￥1326.36 |
| 1000 | ￥2.049674 | ￥2049.67 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 750 pC
耗散功率 275 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 1 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.85 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1012X-GE3
单位重量 30 mg
SI1012X-T1-GE3 同类别型号
注
SI1012X-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI1012X-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1012X-T1-GE3
型号：SI1012X-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2354 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.327212 |
| 10+： | ￥4.522211 |
| 100+： | ￥3.37627 |
| 500+： | ￥2.652714 |
| 1000+： | ￥2.049674 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.33