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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 23.8 nC
耗散功率 5.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.1 ns, 4.7 ns
上升时间 27.5 ns, 19.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.3 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 15.2 ns, 9 ns
高度 1.05 mm
长度 4.9 mm
宽度 5.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 107.200 mg
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0NTMFS4837NHT1G
型号:NTMFS4837NHT1G
品牌:ON
供货:锐单
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