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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 440 mA
漏源电阻 1.41 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 430 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 5.5 S
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SQ1464EEH-T1_GE3
型号:SQ1464EEH-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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