
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.506765 | ¥40.51 |
| 50 | ¥32.344093 | ¥1617.20 |
| 100 | ¥28.939637 | ¥2893.96 |
| 500 | ¥25.535065 | ¥12767.53 |
| 1000 | ¥22.981546 | ¥22981.55 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 400 mA
漏源电阻 80 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 64 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP01N100D
型号:IXTP01N100D
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.506765 |
| 50+: | ¥32.344093 |
| 100+: | ¥28.939637 |
| 500+: | ¥25.535065 |
| 1000+: | ¥22.981546 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥40.51