
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.853483 | ¥37.85 |
| 30 | ¥29.987978 | ¥899.64 |
| 120 | ¥25.704874 | ¥3084.58 |
| 510 | ¥22.848764 | ¥11652.87 |
| 1020 | ¥19.564178 | ¥19955.46 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 27.6 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 100 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK28N65W5,S1F
型号:TK28N65W5,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.853483 |
| 30+: | ¥29.987978 |
| 120+: | ¥25.704874 |
| 510+: | ¥22.848764 |
| 1020+: | ¥19.564178 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.85