货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.984288 | ¥4.98 |
10 | ¥3.489001 | ¥34.89 |
100 | ¥1.759454 | ¥175.95 |
500 | ¥1.435726 | ¥717.86 |
1000 | ¥1.065268 | ¥1065.27 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 2 mg
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02N7002T-7-F
型号:2N7002T-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.984288 |
10+: | ¥3.489001 |
100+: | ¥1.759454 |
500+: | ¥1.435726 |
1000+: | ¥1.065268 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.98