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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V
饱和电压 - 0.03 V
集电极连续电流 - 0.4 A
直流集电极 300
直流电流增益(Max) 1000
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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02SA1955FVATPL3Z
型号:2SA1955FVATPL3Z
品牌:Toshiba
供货:锐单
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