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起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥9.434882 | ¥7547.91 |
1600 | ¥8.005328 | ¥12808.52 |
2400 | ¥7.605062 | ¥18252.15 |
5600 | ¥7.319136 | ¥40987.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95.4 nC
耗散功率 4.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 11.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 13.2 ns
高度 4.82 mm
长度 10.66 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0DMTH6004SCTB-13
型号:DMTH6004SCTB-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
800+: | ¥9.434882 |
1600+: | ¥8.005328 |
2400+: | ¥7.605062 |
5600+: | ¥7.319136 |
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