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DMTH6004SCTB-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMTH6004SCTB-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:800

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
800 9.434882 7547.91
1600 8.005328 12808.52
2400 7.605062 18252.15
5600 7.319136 40987.16

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 2.9 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 95.4 nC

耗散功率 4.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12 ns

正向跨导(Min) -

上升时间 11.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 13.2 ns

外形参数

高度 4.82 mm

长度 10.66 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1.600 g

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DMTH6004SCTB-13

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型号:DMTH6004SCTB-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

800+: ¥9.434882
1600+: ¥8.005328
2400+: ¥7.605062
5600+: ¥7.319136

货期:1-2天

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