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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 25 mS
典型关闭延迟时间 180 ns
典型接通延迟时间 50 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SSM3K15F,LF
型号:SSM3K15F,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
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