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SIHB28N60EF-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHB28N60EF-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 79.003667 79.00
10 70.957447 709.57
100 58.139406 5813.94
500 49.492517 24746.26
1000 44.722152 44722.15

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 28 A

漏源电阻 123 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 120 nC

耗散功率 250 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 4.83 mm

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 4 g

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SIHB28N60EF-GE3

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型号:SIHB28N60EF-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥79.003667
10+: ¥70.957447
100+: ¥58.139406
500+: ¥49.492517
1000+: ¥44.722152

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