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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 12 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 20 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 175 ns
典型接通延迟时间 65 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0SSM3J15F,LF
型号:SSM3J15F,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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