CSD18537NQ5AT
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- 制造商编号：
- CSD18537NQ5AT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥4.856282 | ￥1214.07 |
| 500 | ￥4.469144 | ￥2234.57 |
| 750 | ￥4.270397 | ￥3202.80 |
| 1250 | ￥4.045892 | ￥5057.37 |
| 1750 | ￥3.912426 | ￥6846.75 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
规格参数
开发套件 TPS40170EVM-597
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 NexFET Power MOSFET
单位重量 490 mg
CSD18537NQ5AT 同类别型号
注
CSD18537NQ5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18537NQ5AT
数据手册PDF
。
CSD18537NQ5AT
型号：CSD18537NQ5AT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥4.856282 |
| 500+： | ￥4.469144 |
| 750+： | ￥4.270397 |
| 1250+： | ￥4.045892 |
| 1750+： | ￥3.912426 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00