货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.226181 | ¥17.23 |
10 | ¥15.489395 | ¥154.89 |
100 | ¥12.447938 | ¥1244.79 |
500 | ¥10.227452 | ¥5113.73 |
1000 | ¥8.474107 | ¥8474.11 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.8 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Power Trench MOSFET
单位重量 68.100 mg
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0FDMS86200
型号:FDMS86200
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.226181 |
10+: | ¥15.489395 |
100+: | ¥12.447938 |
500+: | ¥10.227452 |
1000+: | ¥8.474107 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.23