货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.312915 | ¥10.31 |
10 | ¥9.100451 | ¥91.00 |
100 | ¥6.980729 | ¥698.07 |
500 | ¥5.518803 | ¥2759.40 |
1000 | ¥4.415043 | ¥4415.04 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3473CDV-T1-BE3 SI3473CDV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3473CDV-T1-GE3
型号:SI3473CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.312915 |
10+: | ¥9.100451 |
100+: | ¥6.980729 |
500+: | ¥5.518803 |
1000+: | ¥4.415043 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.31