货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥28.78426 | ¥28.78 |
10 | ¥23.874738 | ¥238.75 |
100 | ¥19.00509 | ¥1900.51 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95.4 nC
耗散功率 4.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 11.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 13.2 ns
高度 4.82 mm
长度 10.66 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0DMTH6004SCTB-13
型号:DMTH6004SCTB-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.78426 |
10+: | ¥23.874738 |
100+: | ¥19.00509 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.78