NESG270034-T1-AZ
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 CEL
商标 CEL
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 900 MHz
发射极 - 基极电压 2.8 V
集电极连续电流 0.75 A
配置 Single
集电极—基极电压 25 V
直流电流增益（Max） 80 at 100 mA at 3 V
耗散功率 1900 mW
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
NESG270034-T1-AZ 同类别型号
注
NESG270034-T1-AZ
型号：NESG270034-T1-AZ
品牌：CEL
供货：锐单
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