货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.247629 | ¥2476.29 |
30000 | ¥0.24323 | ¥7296.90 |
50000 | ¥0.218496 | ¥10924.80 |
100000 | ¥0.193762 | ¥19376.20 |
250000 | ¥0.189363 | ¥47340.75 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.29 ns
上升时间 3.15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.025 ns
典型接通延迟时间 3.27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN65D8LFB-7B
型号:DMN65D8LFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.247629 |
30000+: | ¥0.24323 |
50000+: | ¥0.218496 |
100000+: | ¥0.193762 |
250000+: | ¥0.189363 |
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