
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.175412 | ¥13.18 |
| 10 | ¥11.801202 | ¥118.01 |
| 100 | ¥9.197289 | ¥919.73 |
| 500 | ¥7.597821 | ¥3798.91 |
| 1000 | ¥5.99821 | ¥5998.21 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 129 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.5 ns
正向跨导(Min) 69 S
上升时间 7.8 ns
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 16.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 372.608 mg
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0TSM033NA03CR RLG
型号:TSM033NA03CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.175412 |
| 10+: | ¥11.801202 |
| 100+: | ¥9.197289 |
| 500+: | ¥7.597821 |
| 1000+: | ¥5.99821 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.18