
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.11223 | ¥36.11 |
| 10 | ¥32.40489 | ¥324.05 |
| 100 | ¥26.043371 | ¥2604.34 |
| 500 | ¥21.39684 | ¥10698.42 |
| 1000 | ¥17.728771 | ¥17728.77 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.8 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Power Trench MOSFET
单位重量 68.100 mg
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0FDMS86200
型号:FDMS86200
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.11223 |
| 10+: | ¥32.40489 |
| 100+: | ¥26.043371 |
| 500+: | ¥21.39684 |
| 1000+: | ¥17.728771 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.11