
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥102.286531 | ¥102.29 |
| 10 | ¥91.873705 | ¥918.74 |
| 100 | ¥75.269853 | ¥7526.99 |
| 500 | ¥64.075285 | ¥32037.64 |
| 1000 | ¥54.039448 | ¥54039.45 |
| 2000 | ¥52.63577 | ¥105271.54 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 151 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP180N10T
型号:IXTP180N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥102.286531 |
| 10+: | ¥91.873705 |
| 100+: | ¥75.269853 |
| 500+: | ¥64.075285 |
| 1000+: | ¥54.039448 |
| 2000+: | ¥52.63577 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥102.29