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DMN65D8LFB-7B

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN65D8LFB-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:10

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10 0.349485 3.49
100 0.309338 30.93
300 0.289265 86.78
1000 0.27421 274.21
5000 0.262165 1310.82

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 400 mA

漏源电阻 3 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 -

耗散功率 840 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 6.29 ns

上升时间 3.15 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 12.025 ns

典型接通延迟时间 3.27 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

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DMN65D8LFB-7B

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型号:DMN65D8LFB-7B

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

10+: ¥0.349485
100+: ¥0.309338
300+: ¥0.289265
1000+: ¥0.27421
5000+: ¥0.262165

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