货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥0.349485 | ¥3.49 |
100 | ¥0.309338 | ¥30.93 |
300 | ¥0.289265 | ¥86.78 |
1000 | ¥0.27421 | ¥274.21 |
5000 | ¥0.262165 | ¥1310.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.29 ns
上升时间 3.15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.025 ns
典型接通延迟时间 3.27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
购物车
0DMN65D8LFB-7B
型号:DMN65D8LFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥0.349485 |
100+: | ¥0.309338 |
300+: | ¥0.289265 |
1000+: | ¥0.27421 |
5000+: | ¥0.262165 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00