货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.7935 | ¥3.79 |
10 | ¥2.835 | ¥28.35 |
30 | ¥2.6595 | ¥79.78 |
100 | ¥2.484 | ¥248.40 |
500 | ¥2.40975 | ¥1204.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMT8012LK3-13
型号:DMT8012LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.7935 |
10+: | ¥2.835 |
30+: | ¥2.6595 |
100+: | ¥2.484 |
500+: | ¥2.40975 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.79