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SIA416DJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA416DJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.940533 5821.60

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 11.3 A

漏源电阻 68 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.6 V

栅极电荷 10 nC

耗散功率 19 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

正向跨导(Min) 8 S

上升时间 13 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 10 ns

典型接通延迟时间 5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 32.445 mg

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SIA416DJ-T1-GE3

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型号:SIA416DJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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