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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.116653 | ¥2.12 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.2 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 13.6 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 0.7 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.600 mg
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0SSM3K123TU,LF
型号:SSM3K123TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.116653 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.12