货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.112038 | ¥4.11 |
10 | ¥2.803662 | ¥28.04 |
100 | ¥1.368187 | ¥136.82 |
500 | ¥1.140905 | ¥570.45 |
1000 | ¥0.792628 | ¥792.63 |
2000 | ¥0.687084 | ¥1374.17 |
5000 | ¥0.637242 | ¥3186.21 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.29 ns
上升时间 3.15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.025 ns
典型接通延迟时间 3.27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
购物车
0DMN65D8LFB-7B
型号:DMN65D8LFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.112038 |
10+: | ¥2.803662 |
100+: | ¥1.368187 |
500+: | ¥1.140905 |
1000+: | ¥0.792628 |
2000+: | ¥0.687084 |
5000+: | ¥0.637242 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.11