货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.129384 | ¥12388.15 |
6000 | ¥3.716444 | ¥22298.66 |
15000 | ¥3.441152 | ¥51617.28 |
30000 | ¥3.386045 | ¥101581.35 |
75000 | ¥3.303506 | ¥247762.95 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
购物车
0SIA108DJ-T1-GE3
型号:SIA108DJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.129384 |
6000+: | ¥3.716444 |
15000+: | ¥3.441152 |
30000+: | ¥3.386045 |
75000+: | ¥3.303506 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00