货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.850853 | ¥12.85 |
10 | ¥8.643729 | ¥86.44 |
100 | ¥5.943521 | ¥594.35 |
500 | ¥4.718711 | ¥2359.36 |
1000 | ¥4.3159 | ¥4315.90 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 11.3 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 32.445 mg
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0SIA416DJ-T1-GE3
型号:SIA416DJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.850853 |
10+: | ¥8.643729 |
100+: | ¥5.943521 |
500+: | ¥4.718711 |
1000+: | ¥4.3159 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.85