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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.107826 | ¥11078.26 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 470 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 740 pC
耗散功率 610 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 440 ns
上升时间 301 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 582 ns
典型接通延迟时间 131 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN61D8LQ-13
型号:DMN61D8LQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.107826 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00