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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 114 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power Trench MOSFET
典型关闭延迟时间 389 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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0FDWS9508L-F085
型号:FDWS9508L-F085
品牌:ON
供货:锐单
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