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DMN61D8LQ-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN61D8LQ-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V SOT23
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.198749 6.20
10 5.262859 52.63
100 3.930737 393.07
500 3.088435 1544.22
1000 2.386518 2386.52
2000 2.176006 4352.01
5000 2.035621 10178.10

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 470 mA

漏源电阻 1.8 Ohms

栅极电压 - 5 V, + 5 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 740 pC

耗散功率 610 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 440 ns

上升时间 301 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 582 ns

典型接通延迟时间 131 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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DMN61D8LQ-13

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型号:DMN61D8LQ-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.198749
10+: ¥5.262859
100+: ¥3.930737
500+: ¥3.088435
1000+: ¥2.386518
2000+: ¥2.176006
5000+: ¥2.035621

货期:7-10天

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