货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.067476 | ¥30.07 |
10 | ¥26.966028 | ¥269.66 |
100 | ¥21.672258 | ¥2167.23 |
500 | ¥17.805865 | ¥8902.93 |
1000 | ¥14.753425 | ¥14753.42 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.15 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 102 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 63 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 51 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0SIDR390DP-T1-GE3
型号:SIDR390DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.067476 |
10+: | ¥26.966028 |
100+: | ¥21.672258 |
500+: | ¥17.805865 |
1000+: | ¥14.753425 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.07