
货期:国内(1~3工作日)
起订量:14
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 14 | ¥5.631856 | ¥78.85 |
| 20 | ¥4.223892 | ¥84.48 |
| 50 | ¥3.379127 | ¥168.96 |
| 100 | ¥3.379127 | ¥337.91 |
| 300 | ¥2.956779 | ¥887.03 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 6.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.7 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 4.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E170GN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E170GNTB
型号:RS1E170GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 14+: | ¥5.631856 |
| 20+: | ¥4.223892 |
| 50+: | ¥3.379127 |
| 100+: | ¥3.379127 |
| 300+: | ¥2.956779 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00