
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.413132 | ¥12.41 |
| 10 | ¥11.130443 | ¥111.30 |
| 100 | ¥8.6754 | ¥867.54 |
| 500 | ¥7.166791 | ¥3583.40 |
| 1000 | ¥5.657906 | ¥5657.91 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RF4L055GNTCR
型号:RF4L055GNTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.413132 |
| 10+: | ¥11.130443 |
| 100+: | ¥8.6754 |
| 500+: | ¥7.166791 |
| 1000+: | ¥5.657906 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.41