货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.87563 | ¥14689.08 |
5000 | ¥5.65799 | ¥28289.95 |
12500 | ¥5.440422 | ¥68005.27 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 90 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RFD16N06LESM9A_NL
单位重量 330 mg
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0RFD16N06LESM9A
型号:RFD16N06LESM9A
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.87563 |
5000+: | ¥5.65799 |
12500+: | ¥5.440422 |
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