SIHB35N60EF-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB35N60EF-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH D2PAK TO-263
- 渠道：
- digikey
库存 ：751
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥95.769676 | ￥95.77 |
| 10 | ￥86.051038 | ￥860.51 |
| 25 | ￥81.347556 | ￥2033.69 |
| 100 | ￥70.501215 | ￥7050.12 |
| 500 | ￥60.016421 | ￥30008.21 |
| 1000 | ￥54.231704 | ￥54231.70 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 97 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 134 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 61 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 85 ns
晶体管类型 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 96 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB35N60EF-GE3 同类别型号
注
SIHB35N60EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB35N60EF-GE3、查询SIHB35N60EF-GE3代理商；
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替代型号
、SIHB35N60EF-GE3
数据手册PDF。
SIHB35N60EF-GE3
型号：SIHB35N60EF-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：751 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥95.769676 |
| 10+： | ￥86.051038 |
| 25+： | ￥81.347556 |
| 100+： | ￥70.501215 |
| 500+： | ￥60.016421 |
| 1000+： | ￥54.231704 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥95.77