
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥76.36072 | ¥76.36 |
| 10 | ¥68.597145 | ¥685.97 |
| 100 | ¥56.203757 | ¥5620.38 |
| 500 | ¥47.844879 | ¥23922.44 |
| 1000 | ¥43.233484 | ¥43233.48 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 44 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0SUG80050E-GE3
型号:SUG80050E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥76.36072 |
| 10+: | ¥68.597145 |
| 100+: | ¥56.203757 |
| 500+: | ¥47.844879 |
| 1000+: | ¥43.233484 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥76.36